美芯晟 IPO：自研高压集成工艺平台，走差异化发展道路

工艺平台是模拟芯片设计与制作的基础。美芯晟科技（北京）股份有限公司成立于 2008 年，专注于高性能模拟及数模混合芯片研发和销售，在 BCD 高压集成工艺开发方面，公司建立了自有工艺研发团队，具有自主研发工艺及开发特殊器件的能力，不再单纯依赖晶圆代工厂提供的标准工艺。

公司自主研发的 700V-BCD 高压集成工艺和 100V-BCD 器件工艺能够促进芯片生产成本的优化以及供应链整合，不再单纯依赖晶圆代工厂提供的标准工艺，可以开发出具有特色的集成电路产品，进一步节省晶圆加工的层数与成本，大幅提升公司产品的市场竞争力。

1）700V-BCD 高压集成工艺

700V-BCD 高压集成工艺是 LED 驱动及 AC-DC 控制器（含高压启动）产品线的主流工艺平台，晶圆代工厂提供的标准工艺一般需要 13 层以上光罩。公司自研的第二代 700V-BCD 高压集成工艺可将光罩层数降低到 12 层，同时对超高压器件进行版图与工艺的优化，使得抗浪涌能力提高 30% 以上。该工艺能够节省外围抗浪涌器件数量，节约生产成本，在同类工艺中优势明显。目前，公司的 LED 照明驱动芯片及有线快充芯片（在研）产品线已采用该工艺进行设计、生产。

在自研第二代的基础上，公司不断迭代升级，进一步研发第三代 700V-BCD 高压集成工艺。研发完成后，可将光罩层数进一步减少到 10 层，同时优化集成的 5V 低压器件，总体成本较第二代工艺降低 30% 以上。

2）100V-BCD 器件工艺

60V-BCD 器件工艺是 LED 驱动控制器（不含高压启动）、AC-DC 控制器（不含高压启动）及 DC-DC 等产品的主流工艺平台。随着车用芯片、智能家居应用芯片及 USB-PD 与 QC3.0 以上的快充应用的发展，60V 耐压的器件工艺平台已不能满足芯片开发的要求，需要扩展 80V~100V 器件，在通用的 60V-BCD 器件平台上额外增加 2~5 层光罩。目前，具有 100V-BCD 器件工艺平台的晶圆代工厂数量较少，产能受到限制。

公司以现有通用的 60V-BCD 器件工艺平台为基础，在不增加光罩层数的前提下自研 100V-BCD 器件工艺，开发出 80V、100V 器件。目前，该工艺已运用于 LED 照明驱动芯片及有线快充芯片（在研）的设计、生产。

公司将上述核心技术充分应用于产品的设计、研发，推出了一系列具有市场竞争力的核心产品，形成了良好的口碑，奠定了公司的市场地位。未来，公司将通过持续的研发投入和技术积累，与晶圆代工厂形成战略合作关系，在 0.18um-BCD 工艺上自研工艺及开发特定器件，形成独特的技术优势，为后续信号链传感器芯片的设计研发、灵敏度优化、抗噪声能力增强等方面打下良好的基础。